徐川进入自己的办公室钻研东西，樊鹏越一开始也没在意，以为很快就能出来。

结果等到

摸出手机打了电话，才发现这位小师弟已经跑回自己的别墅去了。

书房中，徐川挂断了电话，看着桌上的稿纸，上面已经写满了密密麻麻的字符，继续着手中的研究。

灵感已经抓到，他想着一鼓作气，直接完善这套理论。

“.考虑掺杂剂在空间群(sg)的晶格中的规则放置，这将对称性降低到cuc143，而双带和四带模型的特点是＄\ gamma＄和a处的对称强化双weyl点.”

“由于混合轨道特征的非平凡多带量子几何，以及一个奇异的平带。引入cu原子形成磁力阱后的高温铜碳银复合材料在密度泛函理论(dft)计算的极好一致性提供了在掺杂材料中可以实现费米能级的最小拓扑能带的证据。”

“理论上来说，这已经足够为构建拓扑量子材料提供基础了。”

看着稿纸上的字眼，徐川眼中露出了一丝满足。

三天的废寝忘食加熬夜，他抓住了那一丝偶得的灵感，将其全面铺开延伸，在强关联电子大统一框架理论的基础上，将拓扑物态纳入了进来。

高临界磁场的超导材料在模拟实验中已经得到了数据支持，接下来自然是将其通过真正的实验制备出来了。

所以传统的硅脂芯片基本上已经达到极限了，如果到了1nm之后还强制加入更多的晶体管，到时芯片的性能就会出现各种问题。

目前amsl，台积电等公司已经做到了能生产三纳米，甚至是两纳米的芯片了。

而从这里开始，就是转折点了。

至于传统的硅基芯片，老实说在这方面已经没有什么机会了。

收拾了一下书桌上的杂乱，徐川站起身，洗了个澡后赶往了川海材料研究所。

当然，这些都是从理论上出发，至于具体实际情况，暂时还不知道。

如果硬要pk的话，那么一台30个量子比特的量子计算机的计算能力，差不多和一台每秒万亿次浮点运算的经典计算机水平相当。

但未来随着芯片工艺越来越小，当传统的硅基芯片达到2纳米的时候量子隧穿效应导致的各种问题会逐渐暴露出来。

这是纳米级材料与超导体材料的性能和微观结构优化的常用手段之一。

但在强化超导体中，需要通过引入过量的cu纳米粒的同时，在高温高压条件下通过电流刺激引导cu原子形成自旋，与c原子形成轨道杂化，来改善材料表面的结构。

本来这项工作在三天前就应该开始了，结果他因为一些意外的灵感在别墅中研究了三天的时间，而樊鹏越那边没收到指令，也不敢擅自开始，就这样拖了三天。

据科学家估计，一台一百比特的量子计算机，在处理一些特定问题时，计算速度将超越现有最强的超级计算机。

只不过后来包括台积电等一些芯片制造厂家通过工艺上的改进之后才改善了这种问题。

噼里啪啦的骨节声响起，他掰了掰十指，重新坐下来将桌上的稿纸整理了一下。

到了一纳米的迹象，即便一些芯片厂家能够突破这个大关，但整体的芯片性能理论上来说就不会优良，甚至会不会太稳定，有可能出现各种问题。

量子芯片和量子技术的发展，是未来的趋势，也是华国在芯片领域实现弯道超车的捷径。

但硅基材料本身的限制就在那里，它的发展潜力是有限的。

至于麻烦点，在于如何操控量子比特以及存储信息。

但实际上这两者根本就没法比较。

这意味着量子计算机的比特操控数量能跨入三位数甚至是四位数。

在原本的高温铜碳银符合超导材料中，需要添加2%体积分数的多壁碳纳米管(cnts)和表面镀cu改性后的碳纳米管作为增强相。

在这方面，哪怕是有着最大可能性代替硅基芯片的碳基芯片，其重要性也略输一筹。

制备这种改进型的超导材料，在前期的时候步骤并没有多大区别。

不过这一份研究论文，他大抵是不会发出去的。

但对于硅基芯片来说，再往下，一纳米就是它理论上的极限了。

简单的来说，就像是一个人学会了穿墙术，直接从墙这一面穿到了另一面。

就像是航行于大海上遭遇了暴风雨的船只，在海浪与飓风间，看到了海岸边缘那一座明亮的灯塔一般，有了明了的前进方向。

事实上，这种现象并不是指硅基芯片达到一纳米的时候才出现的效应。

简单的来说，就是磁力阱的产生需要外界补充能量，而高温高压以及导电等方式，就是补充手段和调整cu原子自旋角度的手段。

徐川也不例外，尤其是他现在